用深紫外光刻技术制造的芯片使用的是248纳米的光，也有一些制造商使用193纳米光。有了极紫外光刻技术，芯片将用13纳米的光制造。基于波长越小成像效果越好的定律，13纳米光将提高投射到硅片上的图案质量，从而提高芯片的速度。

但整个过程必须在真空中进行，因为这些光的波长很短，连空气都会吸收它们。此外，EUVL使用了涂有多层钼和硅的凹面和凸面镜，这种涂层可以在13.4纳米的波长下反射近70%的EUV光。如果没有涂层，光线在到达晶圆片之前就会被完全吸收。镜子的表面必须近乎完美，即使是涂层上的微小缺陷也会破坏光学器件的形状，扭曲印刷电路的图形，从而导致芯片功能上的问题。